作者：陈长春; 余本海; 刘江峰; 刘志弘; 钱佩信sige应变硅cmos器件
摘要：详细介绍了应变Si技术产生的起因及特性、应变Si器件的优势、应变Si器件应用中存在的问题并对应变Si技术的市场应用前景作了简单的介绍.
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《微纳电子技术》（CN：13-1314/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子技术》被俄罗斯《AJ》收录、英国《SA》,INSPEC数据库收录、美国《剑桥科学文摘》收录《剑桥科学文摘》、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、《物理学、电技术、计算机及控制信息数据库》、北大2014版优秀期刊、美国《ProQuest数据库》、美国《乌利希期刊指南》收录。
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