作者：翁寿松技术节点sram离子掺杂英特尔应变硅铜互连管结构soi光刻等效
摘要：2006年2月英特尔率先在全球推出45nm 153Mb SRAM原型，并准备于2007年下半年量产，从此拉开了45nm技术节点序幕。本文介绍了45nm节点的发展动态，并着重介绍45nm光刻、应变硅、低k膜、铜互连，高k膜、新型晶体管结构、SOI和等效离子掺杂等工艺。
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《中国集成电路》（CN：11-5209/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国集成电路》报道内容涉及半导体微电子科学与技术及其应用的各个领域，包括微电子器件与电路的基础及其设计技术、电子设计自动化、工艺技术、设备材料、封装技术、产业发展、应用技术及市场等。
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