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《Ieee Electron Device Letters》杂志的收稿方向是什么?

来源:学术之家整理 2025-03-18 15:36:49

《Ieee Electron Device Letters》的收稿方向主要集中在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域,涵盖该领域的全方面内容。

《Ieee Electron Device Letters》特点:

《Ieee Electron Device Letters》中文名称:《IEEE 电子器件字母》,创刊于1980年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期Monthly。

IEEE Electron Device Letters 发表与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性有关的原创性和重要贡献,涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料,应用于生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电学、成像、微执行器、纳米电子学、光电子学、光伏、功率集成电路和微传感器。

《Ieee Electron Device Letters》定位:

旨在及时、准确、全面地报道国内外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在该领域的科学研究等工作中取得的经验、科研成果、技术革新、学术动态等。

发文统计(统计区间:2023年-2024年)

机构名称 发文量
CHINESE ACADEMY OF SCIE... 84
UNIVERSITY OF CALIFORNI... 70
XIDIAN UNIVERSITY 56
NATIONAL YANG MING CHIA... 49
HONG KONG UNIVERSITY OF... 48
PEKING UNIVERSITY 42
UNIVERSITY OF ELECTRONI... 42
INDIAN INSTITUTE OF TEC... 36
IMEC 35
NATIONAL SUN YAT SEN UN... 35
国家/地区 发文量
CHINA MAINLAND 577
USA 282
South Korea 174
Taiwan 123
Japan 65
England 60
India 49
Belgium 37
GERMANY (FED REP GER) 37
France 32
文章引用名称 引用次数
Enhancement-Mode Ga2O3 Verti... 38
An Artificial Neuron Based o... 36
Recessed-Gate Enhancement-Mo... 28
Spin Logic Devices via Elect... 27
Current Aperture Vertical be... 27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field... 26
Vertical Ga2O3 Schottky Barr... 24
1.85 kV Breakdown Voltage in... 24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky ... 23
First Demonstration of a Log... 22
被引用期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 1587
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
JPN J APPL PHYS 594
APPL PHYS LETT 460
IEEE J ELECTRON DEVI 445
APPL PHYS EXPRESS 366
SEMICOND SCI TECH 277
J APPL PHYS 268
SOLID STATE ELECTRON 257
ECS J SOLID STATE SC 249
引用期刊名称 数量
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
IEEE T ELECTRON DEV 865
APPL PHYS LETT 812
J APPL PHYS 318
ADV MATER 217
NANO LETT 150
ACS APPL MATER INTER 142
SCI REP-UK 138
NATURE 132
APPL PHYS EXPRESS 119

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