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首页 SCI期刊 工程技术 2区 Ieee Electron Device Letters(非官网)
Ieee Electron Device Letters杂志

Gold OA文章占比:5.70%

OA被引用占比:0

开源占比:0.026

研究类文章占比:100.00%

Ieee Electron Device Letters

国际标准简称:IEEE ELECTR DEVICE L

人气 492

《Ieee Electron Device Letters》是一本专注于工程电子与电气领域的English学术期刊,创刊于1980年,由IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC出版商出版,出版周期Monthly。该刊发文范围涵盖工程电子与电气等领域,旨在及时、准确、全面地报道国内外工程电子与电气工作者在该领域的科学研究等工作中取得的经验、科研成果、技术革新、学术动态等。该刊已被SCI、SCIE、EI数据库收录,在中科院JCR最新升级版分区表中,该刊分区信息为大类学科工程技术2区,2022年影响因子为4.9。

  • 2区

    中科院分区
  • Q2

    JCR分区
  • SCI / SCIE / EI

    期刊收录
  • 是否预警
ISSN:0741-3106
出版地区:UNITED STATES
出版周期:Monthly
E-ISSN:1558-0563
创刊时间:1980
出版语言:English
是否OA开放访问:未开放
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
影响因子:4.221
年发文量:417
出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
平均审稿速度:约1.3个月

Ieee Electron Device Letters期刊简介

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

Ieee Electron Device Letters中科院分区

中科院分区2022年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

中科院分区2021年12月基础版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

中科院分区2021年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

中科院分区2020年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

中科院分区:中科院分区是SCI期刊分区的一种,是由中国科学院国家科学图书馆制定出来的分区。主要有两个版本,即基础版和升级版。基础版是《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表》;升级版是对基础版的延续和改进,将期刊由基础版的13个学科扩展至18个,科研评价将更加明确。

JCR分区

JCR 分区等级 JCR 学科 分区
Q2 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q2

JCR分区:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身为汤森路透)开发。JCR没有设置大类,只将期刊分为176个具体学科,也就是中科院分区中的小类学科。基于不同学科的当年影响因子高低进行排序,将期刊的数量均匀分为四个部分,Q1区代表学科分类中影响因子排名前25%的期刊,以此类推,Q2区为前25%-50%期刊,Q3区为前50%-75%期刊,Q4区为75%以后期刊。

CiteScore 指数

  • SJR:1.316
  • SNIP:1.717

CiteScore排名:

学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q1 106 / 738
85%
大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 48 / 271
82%

CiteScore值计算方式:CiteScore 2021 计算在 2018-2021 年间对 2018-2021 年所发表文章、评论、会议论文、书籍章节和数据论文进行的引用次数,然后将该次数除以在 2018-2021 年所发表的出版物总数。

CiteScore数据来源:是由全球著名学术出版商Elsevier(爱思唯尔)基于其Scopus数据库推出的期刊评价指标。CiteScore指数以四年区间为基准来计算每本期刊的平均被引用次数,并提供期刊领域排名、期刊分区的相关信息,它的作用是测量期刊的篇均影响力。

其它数据分析对比

近年中科院JCR分区趋势图

近年IF值(影响因子)趋势图

影响因子:是美国科学信息研究所(ISI)的期刊引证报告(JCR)中的一项数据。指的是某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。自1975年以来,每年定期发布于“期刊引证报告”(JCR)。

发文统计(统计区间:2019年-2021年)

国家/地区 发文量
CHINA MAINLAND 577
USA 282
South Korea 174
Taiwan 123
Japan 65
England 60
India 49
Belgium 37
GERMANY (FED REP GER) 37
France 32
文章引用名称 引用次数
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical ... 38
An Artificial Neuron Based on a ... 36
Recessed-Gate Enhancement-Mode b... 28
Spin Logic Devices via Electric ... 27
Current Aperture Vertical beta-G... 27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Eff... 26
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier ... 24
1.85 kV Breakdown Voltage in Lat... 24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barr... 23
First Demonstration of a Logic-P... 22
被引用期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 1587
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
JPN J APPL PHYS 594
APPL PHYS LETT 460
IEEE J ELECTRON DEVI 445
APPL PHYS EXPRESS 366
SEMICOND SCI TECH 277
J APPL PHYS 268
SOLID STATE ELECTRON 257
ECS J SOLID STATE SC 249
引用期刊名称 数量
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
IEEE T ELECTRON DEV 865
APPL PHYS LETT 812
J APPL PHYS 318
ADV MATER 217
NANO LETT 150
ACS APPL MATER INTER 142
SCI REP-UK 138
NATURE 132
APPL PHYS EXPRESS 119

投稿注意事项

文章要求:

1、建议稿件控制10页以上,文章撰写语言为英语;(单栏格式,单倍行距,内容10号字体,文稿类型包含:原创研究(Original Research)、案例报告(Case Report)、文献综述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重复率控制10%以内,论文务必保证原创性、图标、公式、引文等要素齐备,保证附属资料的完整。已发表或引用过度的文章将不会被出版和检索,禁止一稿多投,拒绝抄袭、机械性的稿件。

3、稿件必须有较好的英语表达水平,有图,有表,有公式,有数据或设计,有算法(方案,模型),实验,仿真等;参考文献控制25条以上,参考文献引用一半以上控制在近5年以内。

图片和图表要求:

1、建议使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW压缩。

2、文件大小最大不超过20MB,不要以单个文件的形式上传数据。

3、彩色图片的分辨率≥300dpi;黑白图片的分辨率在≥500dpi;line art图片类型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建议采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

4、线条不要细于0.25pt,也不能太粗,超过1.5pt,过细或过粗都影响美观。

5、表格一般和manuscrript放置在一个word文档里部分期刊 需要单独上传表格。

作者信息:

1、包括作者姓名、最高学位,作者单位(精确到部门),邮箱,地址,邮编,关键词,内容,总结,项目基金,参考文献,作者相片+简介(一定要确保作者信息准确无误,提交稿件之后这部分不能再作改动)。

更多征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站专注期刊投稿服务十年,确保SCI检索,稿件信息安全保密,合乎学术规范不成功不收费,详情请咨询客服。

杂志社联系方式

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141

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