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日本富士通公司采用AIGaN间隔层和InAIGaN阻挡层将GaNHEMT的输出功率提高到19.9W/mm
栅宽
第6-7页
关键词: 日本富士通公司 输出功率 高电子迁移率晶体管 阻挡层 间隔层 栅宽 晶体结构 实验室
2018年第04期
《半导体信息》
名词术语释义——第一代纳米芯片
第335-335页
关键词: 纳米芯片 第一代 术语释义 名词 2000年 半导体行业 晶体管设计 电路芯片 集成电路 台式电脑 器件 栅宽 线宽 栅极
2005年第07期
《微纳电子技术》
Si衬底AlGaN/GaN功率开关场效应晶体管研制
第87-89页
关键词: 场效应晶体管 功率开关 栅宽 欧姆接触电极厚度
2012年第12期
《电力电子技术》
GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续)
第81-87页
关键词: 功率开关器件 gan 功率变换 微尺度 升压变换器 等离子处理 场板结构 栅宽
2014年第02期
《半导体技术》
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