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日本富士通公司采用AIGaN间隔层和InAIGaN阻挡层将GaNHEMT的输出功率提高到19.9W/mm栅宽第6-7页
关键词: 日本富士通公司  输出功率  高电子迁移率晶体管  阻挡层  间隔层  栅宽  晶体结构  实验室  
2018年第04期 《半导体信息》
名词术语释义——第一代纳米芯片第335-335页
关键词: 纳米芯片  第一代  术语释义  名词  2000年  半导体行业  晶体管设计  电路芯片  集成电路  台式电脑  器件  栅宽  线宽  栅极  
2005年第07期 《微纳电子技术》
Si衬底AlGaN/GaN功率开关场效应晶体管研制第87-89页
关键词: 场效应晶体管  功率开关  栅宽  欧姆接触电极厚度  
2012年第12期 《电力电子技术》
GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续)第81-87页
关键词: 功率开关器件  gan  功率变换  微尺度  升压变换器  等离子处理  场板结构  栅宽  
2014年第02期 《半导体技术》