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MOCVD反应室模拟仿真研究
第5-8页
关键词: 有限元 反应室 流场
2019年第06期
《电子工业专用设备》
MOCVD生长非故意掺杂GaN/Si薄膜的电阻率控制研究
第11-12页
关键词: 非故意掺杂gan si衬底 金属有机物化学气相沉积 高电阻率 线性位错密度
2011年第31期
《科技创新导报》
4×15 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器列阵
第141-147页
关键词: 激光器 激光光学 高速调制垂直腔面发射激光器列阵 金属有机物化学气相沉积 外延结构 芯片工艺 静态和动态特性
2018年第05期
《光学学报》
半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备
第104-112页
关键词: si ingan 黄光 led 金属有机物化学气相沉积
2019年第16期
《物理学报》
MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析
第139-142页
关键词: 铱 金属有机物化学气相沉积 先驱体 基片
2005年第01期
《稀有金属材料与工程》
一种用于MOCVD石墨盘的红外测温装置
第579-584页
关键词: 红外测温 金属有机物化学气相沉积 在线监测 光学设计
2018年第04期
《应用光学》
Si衬底GaN外延生长的应力调控
第27-31页
关键词: si衬底gan 外延生长 金属有机物化学气相沉积 应力调控
2018年第04期
《电子工业专用设备》
6英寸硅基GaN HEMT外延材料的制备
第359-363页
关键词: si gan algan插入层
2018年第05期
《半导体技术》
MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究
第515-518页
关键词: zno薄膜 薄膜太阳电池 mocvd 金属有机物化学气相沉积 备用 生长技术 二乙基锌 低电阻率 光电特性 衬底温度 制备条件 方块电阻 h2o 透过率 min mol 掺杂 流量 500 膜面积 气体
2005年第05期
《光电子激光》
双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
第236-238页
关键词: gan
2005年第02期
《稀有金属》
p-n型GaInP2/GaAs叠层太阳电池研究
第3632-3636页
关键词: 叠层 金属有机物化学气相沉积 太阳电池 低压 光伏 性能 计算机模拟 光电转换效率 改善 取代
2004年第11期
《物理学报》
GaxIn1-x缓冲层组分对InP自组装形貌影响的研究
第1726-1730页
关键词: 缓冲层 半导体自组装结构 表面能 金属有机物化学气相沉积
2005年第04期
《物理学报》
基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料
第211-218页
关键词: 金属有机物化学气相沉积 氮化镓 热处理 同质外延
2018年第07期
《物理学报》
金属有机物化学气相沉积
法制备负载型纳米TiO2光催化剂及性能评价
第119-123页
关键词: 金属有机物化学气相沉积 光催化 二氧化钛 难降解废水
2005年第01期
《高校化学工程学报》
MOCVD制备不同衬底GaN外延的在线红外测温比较研究
第176-183页
关键词: 测量 红外测温 金属有机物化学气相沉积 gan 外延 比较研究
2017年第11期
《激光与光电子学进展》
MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究
第229-233页
关键词: 金属有机物化学气相沉积 inalgan 异质结 迁移率
2017年第04期
《固体电子学研究与进展》
使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED
第675-680页
关键词: 成核层 磁控溅射
2017年第09期
《半导体技术》
6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备
第753-759页
关键词: algan 紫外发光二极管 分布式布拉格反射镜 金属有机物化学气相沉积 垂直结构
2017年第06期
《发光学报》
金属有机物化学气相沉积
同质外延GaN薄膜表面形貌的改善
第229-234页
关键词: 金属有机物化学气相沉积 同质外延gan 插入层 生长模式
2017年第10期
《物理学报》
金属有机物化学气相沉积
法制备的锰掺杂氮化镓薄膜的结构和光学性质
第2601-2605页
关键词: 光学性质 金属有机物化学气相沉积 锰掺杂氮化镓 锰价态
2016年第22期
《中国科技论文》
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