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首页 论文大全 金属有机物化学气相沉积论文 列表
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期刊收录
出版地区
MOCVD反应室模拟仿真研究第5-8页
关键词: 有限元  反应室  流场  
MOCVD生长非故意掺杂GaN/Si薄膜的电阻率控制研究第11-12页
关键词: 非故意掺杂gan  si衬底  金属有机物化学气相沉积  高电阻率  线性位错密度  
2011年第31期 《科技创新导报》
4×15 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器列阵第141-147页
关键词: 激光器  激光光学  高速调制垂直腔面发射激光器列阵  金属有机物化学气相沉积  外延结构  芯片工艺  静态和动态特性  
2018年第05期 《光学学报》
半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备第104-112页
关键词: si  ingan  黄光  led  金属有机物化学气相沉积  
2019年第16期 《物理学报》
MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析第139-142页
关键词: 铱  金属有机物化学气相沉积  先驱体  基片  
一种用于MOCVD石墨盘的红外测温装置第579-584页
关键词: 红外测温  金属有机物化学气相沉积  在线监测  光学设计  
2018年第04期 《应用光学》
Si衬底GaN外延生长的应力调控第27-31页
关键词: si衬底gan  外延生长  金属有机物化学气相沉积  应力调控  
6英寸硅基GaN HEMT外延材料的制备第359-363页
关键词: si  gan  algan插入层  
2018年第05期 《半导体技术》
MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究第515-518页
关键词: zno薄膜  薄膜太阳电池  mocvd  金属有机物化学气相沉积  备用  生长技术  二乙基锌  低电阻率  光电特性  衬底温度  制备条件  方块电阻  h2o  透过率  min  mol  掺杂  流量  500  膜面积  气体  
2005年第05期 《光电子激光》
双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究第236-238页
关键词: gan  
2005年第02期 《稀有金属》
p-n型GaInP2/GaAs叠层太阳电池研究第3632-3636页
关键词: 叠层  金属有机物化学气相沉积  太阳电池  低压  光伏  性能  计算机模拟  光电转换效率  改善  取代  
2004年第11期 《物理学报》
GaxIn1-x缓冲层组分对InP自组装形貌影响的研究第1726-1730页
关键词: 缓冲层  半导体自组装结构  表面能  金属有机物化学气相沉积  
2005年第04期 《物理学报》
基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料第211-218页
关键词: 金属有机物化学气相沉积  氮化镓  热处理  同质外延  
2018年第07期 《物理学报》
金属有机物化学气相沉积法制备负载型纳米TiO2光催化剂及性能评价第119-123页
关键词: 金属有机物化学气相沉积  光催化  二氧化钛  难降解废水  
MOCVD制备不同衬底GaN外延的在线红外测温比较研究第176-183页
关键词: 测量  红外测温  金属有机物化学气相沉积  gan  外延  比较研究  
MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究第229-233页
关键词: 金属有机物化学气相沉积  inalgan  异质结  迁移率  
使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED第675-680页
关键词: 成核层  磁控溅射  
2017年第09期 《半导体技术》
6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备第753-759页
关键词: algan  紫外发光二极管  分布式布拉格反射镜  金属有机物化学气相沉积  垂直结构  
2017年第06期 《发光学报》
金属有机物化学气相沉积同质外延GaN薄膜表面形貌的改善第229-234页
关键词: 金属有机物化学气相沉积  同质外延gan  插入层  生长模式  
2017年第10期 《物理学报》
金属有机物化学气相沉积法制备的锰掺杂氮化镓薄膜的结构和光学性质第2601-2605页
关键词: 光学性质  金属有机物化学气相沉积  锰掺杂氮化镓  锰价态  
2016年第22期 《中国科技论文》