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基于IPD工艺的高通滤波器芯片设计
第230-234页
关键词: 高通滤波器 寄生参数 螺旋电感 mim电容
2020年第01期
《通信技术》
优化半绝缘GaAs双抛片精抛工艺的可行性探究
第28-30页
关键词: 砷化镓 半绝缘砷化镓 化学机械抛光 ttv 精抛
2020年第02期
《天津科技》
英国科学家发现
砷化镓
存不稳定性或可为汽车等研发更好的电子产品
第8-8页
关键词: 笔记本电脑 电子产品 砷化镓 电子设备 半导体材料 复合半导体 智能手机 不稳定性
2019年第06期
《半导体信息》
Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计
第30-34页
关键词: ku波段 砷化镓 数字衰减器 高衰减精度 微波单片集成电路
2019年第12期
《强激光与粒子束》
GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究
第26-31页
关键词: 集成无源器件 砷化镓 深背部通孔 崩边
2019年第10期
《红外》
GaAs晶体的扩散键合工艺优化
第1206-1211页
关键词: 非线性光学 扩散键合 准相位匹配 砷化镓
2019年第10期
《激光与红外》
K波段平衡式矢量调制器MMIC
第681-685页
关键词: 矢量调制器 双相幅度调制器 平衡式结构
2019年第09期
《半导体技术》
26GHz高回退效率Doherty功率放大器
第74-79页
关键词: doherty功率放大器 砷化镓 非对称 功率附加效率 饱和 回退效率
2020年第01期
《电子元件与材料》
VGF法GaAs单晶生长中热通量对固液界面形状的影响
第1068-1074页
关键词: 垂直梯度凝固法 砷化镓 数值模拟 固液界面 电学均匀性
2019年第10期
《稀有金属》
具备深背部通孔的
砷化镓
集成无源器件的制作技术
第20-22页
关键词: 集成无源器件 砷化镓 深背部通孔 垂直电感
2019年第12期
《集成电路应用》
城市化工
第47-47页
关键词: 高新技术 燕化集团 超导线材 lbd晶体 钕铁氮永磁材料 砷化镓 聚甲醛 1 聚四氢呋喃 聚碳酸酯 有机硅
2004年第10期
《乙醛醋酸化工》
LED电筒
第109-109页
关键词: led 发光二极管 砷化镓 氮化镓 串联电路
2010年第09期
《新知客》
一种双通道射频接收前端
第58-61页
关键词: 砷化镓 双通道接收前端
2017年第04期
《现代信息科技》
单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究
第163-166页
关键词: 砷化镓 化学机械抛光 抛光特性 表面粗糙度
2019年第06期
《兵器装备工程学报》
砷化镓
材料
第75-77页
关键词: 砷化镓 半导体材料 迁移率 能带结构 掺杂剂 载流子浓度 饱合漂移速度
2010年第32期
《科技创新导报》
2017年我国光伏技术发展报告(4)
第9-14页
关键词: 光伏技术 薄膜太阳电池 半导体材料 抗辐照性能 砷化镓 发展概况 gaas 空间环境
2018年第11期
《太阳能》
从
砷化镓
污泥中回收镓的实验研究
第87-88页
关键词: 砷化镓 污泥 回收 镓
2018年第10期
移动电话与单片微波IC的市场分析
第27-29页
关键词: 砷化镓 单片微波集成电路 移动电话
2005年第06期
《电子元器件应用》
飞利浦融合微波应用的硅基BiCMOS技术
第17-17页
关键词: 微波应用 bicmos技术 飞利浦电子 用户体验 sige 汽车碰撞 卫星电视接收 砷化镓 探测雷达 双极晶体管
2005年第06期
《半导体信息》
美国Integra Technologies公司推出S波段雷达应用的GaN-on-SiC射频和微波晶体管
第4-5页
关键词: integra 微波晶体管 雷达应用 s波段 美国 射频 碳化硅基 砷化镓
2018年第03期
《半导体信息》
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