作者：黄贞松; 蒋东铭; 匡珩砷化镓双通道接收前端
摘要：本文研究采用SOI（绝缘体上硅）工艺设计开关芯片,砷化镓（GaAs）工艺单片LNA,MCM（多芯片组装工艺）技术设计的双通道接收前端,在1~4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过CW功率5W,NF小于1.2dB,增益大于30dB,P-1dB大于10dBm,尺寸为5mm＆#215;5mm的QFN封装.双通道射频接收前端可广泛应用于TDD通信系统.
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