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富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性
第939-944页
关键词: 磷化铟 晶体生长 富铟夹杂
2016年第12期
《半导体技术》
GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性
第678-683页
关键词: 光荧光谱 砷化镓 量子阱 分子束外延
2007年第05期
《光学精密工程》
In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点的形貌和光学性质
第705-707页
关键词: 量子点 应变耦合 光荧光谱
2007年第05期
《红外与激光工程》
C掺杂GaAs外延层光学特性分析
第222-224页
关键词: 光电子学 gaas掺杂 光荧光谱 x射线衍射
2006年第02期
《量子电子学报》
多量子阱红外探测材料的光致荧光谱
第185-188页
关键词: 红外 qwip 暗电流 光荧光谱
2009年第02期
《功能材料与器件学报》
Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响
第668-671页
关键词: gan al沉积时间 喇曼 光荧光谱 硅衬底
2011年第09期
《半导体技术》
Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析
第703-705页
关键词: 氮化镓 aln插入层 喇曼散射 光荧光谱 应力 si衬底
2008年第12期
《微纳电子技术》
GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析
第17-19页
关键词: 掺硅砷化镓单面抛光片
2011年第06期
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