作者：邢艳辉; 李建军; 邓军; 韩军; 盖红星; 沈...光电子学gaas掺杂光荧光谱x射线衍射
摘要：对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源，分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层，随C掺杂浓度增加，禁带宽度收缩，PL谱峰值半宽增大，晶格常数减小。
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