作者：马楠 邓军 史衍丽 沈光地红外qwip暗电流光荧光谱
摘要：在多量子阱红外探测器外延材料制备中，由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感，因此对外延材料的制备有很高的要求。本文中我们利用光致荧光谱（PL）对GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算，从而在器件工艺前，快速确定器件的探测波长。以光致荧光光谱对GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试，通过理论计算，得到多量子阱红外探测器探测波长。计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性，证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算，能够更加有效地开展器件研究工作。同时，我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况，以及液氮温度下，500K黑体辐射情况时，信号噪声比达到235．3。
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