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来源：学术之家整理 2026-07-06 20:18:35
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》中文名称：《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》，创刊于2001年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，出版周期Quarterly。
出版物的范围包括但不限于以下方面的可靠性：设备、材料、工艺、接口、集成微系统（包括 MEMS 和传感器）、晶体管、技术（CMOS、BiCMOS 等）、集成电路（IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等）、薄膜晶体管应用。从概念阶段到研发再到制造规模，在每个阶段对这些实体的可靠性进行测量和理解，为成功将产品推向市场提供了设备、材料、工艺、封装和其他必需品的可靠性的整体数据库。这个可靠性数据库是满足客户期望的优质产品的基础。这样开发的产品具有高可靠性。高质量将实现，因为产品弱点将被发现（根本原因分析）并在最终产品中设计出来。这个不断提高可靠性和质量的过程将产生卓越的产品。归根结底，可靠性和质量不是一回事；但从某种意义上说，我们可以做或必须做一切事情来保证产品在客户条件下在现场成功运行。我们的目标是抓住这些进步。另一个目标是关注电子材料和设备可靠性的最新进展，并提供对影响可靠性的基本现象的基本理解。此外，该出版物还是可靠性跨学科研究的论坛。总体目标是提供前沿/最新信息，这些信息与可靠产品的创造至关重要。
旨在及时、准确、全面地报道国内外工程电子与电气工作者在该领域的科学研究等工作中取得的经验、科研成果、技术革新、学术动态等。
| 机构名称 | 发文量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TEC... | 23 |
| IMEC | 15 |
| CENTRE NATIONAL DE LA R... | 14 |
| STMICROELECTRONICS | 10 |
| TECHNISCHE UNIVERSITAT ... | 9 |
| NATIONAL TSING HUA UNIV... | 8 |
| NATIONAL YANG MING CHIA... | 8 |
| COMMUNAUTE UNIVERSITE G... | 7 |
| GLOBALFOUNDRIES | 7 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIE... | 6 |
| 国家/地区 | 发文量 |
| USA | 52 |
| CHINA MAINLAND | 51 |
| India | 50 |
| Taiwan | 35 |
| France | 20 |
| Italy | 18 |
| Belgium | 15 |
| Austria | 14 |
| Japan | 13 |
| GERMANY (FED REP GER) | 12 |
| 文章引用名称 | 引用次数 |
| A First-Principles Study of ... | 23 |
| Understanding BTI in SiC MOS... | 9 |
| Comparative Thermal and Stru... | 9 |
| Output-Power Enhancement for... | 8 |
| Rapid Solder Interconnect Fa... | 7 |
| Study of Long Term Drift of ... | 7 |
| Impacts of Process and Tempe... | 6 |
| Comparative Study of Reliabi... | 6 |
| A Compact and Self-Isolated ... | 6 |
| A Review on Hot-Carrier-Indu... | 6 |
| 被引用期刊名称 | 数量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 127 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| MICROELECTRON RELIAB | 88 |
| IEEE ACCESS | 47 |
| IEEE T NUCL SCI | 37 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 36 |
| IEICE ELECTRON EXPR | 35 |
| IEEE T POWER ELECTR | 31 |
| J MATER SCI-MATER EL | 31 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 30 |
| 引用期刊名称 | 数量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 167 |
| IEEE T NUCL SCI | 116 |
| MICROELECTRON RELIAB | 100 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 69 |
| APPL PHYS LETT | 59 |
| J APPL PHYS | 44 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 24 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 23 |
| IEEE T POWER ELECTR | 23 |
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