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C型产气荚膜梭菌合成培养基使用参数及培养毒素浓缩工艺优化

作者:朱良全; 李聪研; 蒋玉文; 田冬青; 孙晔c型产气荚膜梭菌合成培养基使用参数浓缩工艺

摘要:确定C型产气英膜梭菌合成培养基使用参数及建立配套的毒素浓缩工艺。比较不同pH值、灭菌温度、配制用水的合成培养基及其不同培养时间和温度下培养产气荚膜梭菌CVCC60102株的毒力;按毒素的分子量及超滤膜的截留分子量设计并比较2种不同浓缩工艺的毒素收获率及透出液的毒力。结果表明,pH值为8.0~8.4、灭菌方式为116℃30min、配制用水为去离子水时产毒最佳,毒力达到500—1000MLD/mL;合成培养基培养产气英膜梭菌CVCC60102株18h后毒力达500—1000MLD/mL,随着时间的延长,毒力不再增强;培养温度为36℃或37℃时,产毒效果最佳;不同截留分子量的超滤膜浓缩,10ku截留分子量的收获率为68%,其透出液静脉接种0.2mL,小鼠2/2死亡;而8ku收获率达80%,其透出液静脉接种0.2mL,小鼠0/2死亡。因此8ku截留分子量膜包适宜对C型菌培养毒素的浓缩。上述结果为C型产气荚膜梭菌合成培养基的应用提供了数据支撑。

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