台积电推出性能增强的和5nm制造工艺

运行速度制造工艺设计规则深紫外性能增强极紫外euv性能提升

摘要：近日,台积电(TSMC)推出了7nm深紫外DUV(N7)和5nm极紫外EUV(N5)制造工艺的性能增强版本。台积电全新N7P工艺采用与N7相同的设计规则,优化了前端(FEOL)和中端(MOL),可在相同功率下将性能提升7%,或者在相同的频率下降低10%的功耗。N5P工艺则可以在相同功率下使芯片的运行速度提高7%,或在相同频率下将功耗降低15%。

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