电容对毫微秒瞬变用ZnO-Bi2O3-Yb2O3基压敏电阻的影响

作者：Kannadasan; RAJU; Valsalal; PRASAD电容金属氧化物压敏电阻纳秒瞬态稀土氧化物转换延迟氧化镱

摘要：研究了ZnO-Bi2O3-Yb2O3基压敏陶瓷在900°C至1050°C温度范围内的显微组织和电学性能变化。结果表明,随着烧结温度的升高,电容效应从0.460nF降低到0.321nF。此外,压敏电阻的晶粒大小从6.8μm增大到9.8μm。这种小的晶粒使样品在900°C烧结时获得更好的电压梯度,约为895V/mm,而当烧结温度升高到1050°C时,电压梯度迅速下降到410V/mm。另外,非线性指数增加到最大值36.0,泄漏电流减少到0.026mA/cm2。然而,随着温度的升高,压敏电阻的密度从5.41g/cm3降低到5.24g/cm3。在此基础上,考察了压敏电阻电容和高压梯度的影响,从而提高了压敏电阻组件在侵入纳秒瞬态下从非导电态转变到导电态的转变速度。

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