作者：张淑芳; 韩影ganmosfet瞬态电压开关特性
摘要：目前GaN 器件是国内外研究的热点,功率MOSFET 结构比同样耐压的双极性器件具有优异的高温工作特性,但温度不同时带来的半导体特性变化会对MOSFET 结构的电学特性产生影响。本文是研究温度对GaN MOSFET 的瞬态开关速率影响。首先利用MOSFET 的基本公式对GaN 在导通和关断时的输出开关速率等瞬态特性进行理论推导,然后在仿真软件ORCAD 中搭建电路图进行仿真测试,在其他条件不变时,以温度为自变量,分别仿真导通和截止时,GaN MOSFET 的不同瞬态电压和dV/dt 数据,分析它们与温度的关系以及引起变化的因素,最终总结温度对GaN MOSFET 的瞬态特性响应。
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