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金属基底上定向碳纳米管阵列的生长及其场发射性质

作者:盛雷梅; 范守善碳纳米管化学气相沉积法金属基底场发射

摘要:在金属基底上,以铁为催化剂,硅做过镀层,乙烯为源气体,通过普通的化学气相沉积方法生长出垂直基底排列的碳纳米管(CNT)阵列.扫描电子显微镜和透射电镜观察表明,生长的CNT具有阵列形貌和多缺陷的结构.对CNT阵列的场发射性质进行了测量,在10 μA/cm2时不锈钢和镍基底上的开启电场分别为1.25 V/μm 和1.57 V/μm.

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真空科学与技术学报

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