作者：宋学萍; 饶淑玲; 方伟; 孙兆奇al膜微结构应力和压强直流磁控溅射法硅基arx射线衍射法平均晶粒尺寸光学相移法应力分布面心立方晶体结构晶格常数分析表时间膜厚度应力差结晶度制备氩气减小增大多晶
摘要：用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5 min和10 min,氩气压强分别为0.7、3、6 Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究.应力分析表明:在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al膜厚度增大,在相同选区范围内,Al膜的应力差变小,应力分布趋于均匀.结构分析表明:制备的Al膜呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方,在相同溅射时间下,压强为0.7 Pa的Al膜结晶度最好.随着压强的减小,平均晶粒尺寸和晶格常数增大.
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