作者：张治国; 陈小锰; 刘天伟; 徐军; 邓新禄; ...非平衡磁控溅射langmuir探针诊断ecr等离子体密度等离子体参量电子温度功率变化变化关系电位变化最大值工艺参数量级溅射靶微波源片架
摘要：利用朗谬尔探针诊断了ECR非平衡磁控溅射等离子体,给出了微观等离子体参量随宏观工艺参量变化关系.实验测得基片架附近等离子体密度达到1010～1011数量级,电子温度在(5～10) eV之间.随溅射靶功率变化,等离子体密度在130W时取得最大值;同样随微波源功率变化,等离子体密度在功率为850W时也达到最大值.电子温度、等离子体空间电位变化与等离子体密度呈相同趋势.
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