接触式串联射频MEMS开关的工艺研究

作者：于映; 罗仲梓; 翁心桥共平面波导牺牲层刻蚀工艺射频开关mems开关接触式pecvd串联开关结构电极

摘要：本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜,溅射Au制作共平面波导,聚酰亚胺作为牺牲层,运用等离子体刻蚀法释放牺牲层.研究了悬梁、共平面波导以及电极的制作工艺,并分析了牺牲层的制作和刻蚀工艺对开关结构的影响.

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