作者：杨春; 李言荣; 陶佰万; 刘兴钊; 张鹰; 刘...氧化锌薄膜局域密度近似平面波超软赝势法吸附生长半导体
摘要：建立了一种2×2α-A12O3(0001)基片表面吸附ZnO模型，在周期边界条件下的κ空间中，采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法，对α-A12O3(0001)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算研究。由于较大的表面弛豫，使得氧原子全部暴露于基片最外表面，明显地表现出O原子电子表面态；驰豫后的表面能对ZnO分子产生较强的化学吸附，表面电子结构将发生明显的变化，其表面最优吸附生长点的方位正好偏离α-A12O3(0001)表面氧六角对称30°；并计算了这些吸附生长点处Zn与表面O的结合能。
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