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真空纳米三极管进展及技术分析

作者:李兴辉; 王刚真空电子器件固态电子器件真空纳米三极管高速抗辐射大气环境

摘要:本文比较了传统真空电子器件和固态电子器件的特点,指出结合二者优势的真空纳米三极管出现并非偶然。基于固态微加工工艺的真空纳米三极管,其本质则是极端微型化的真空器件。文中详细介绍了真空纳米三极管的发展历程,并对器件相关技术问题包括器件工作原理,电子发射机理,器件材料、设计、工艺实现,工作环境影响和器件失效机理进行分析。分析结果表明,集成电路工艺兼容的新型真空纳米三极管具有高速、抗辐射特点,并能在低真空甚至大气环境正常工作,成为新一代集成电路技术中CMOS器件的潜在有力竞争者。

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真空电子技术

《真空电子技术》(CN:11-2485/TN)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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