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具有碳纳米管掺杂的场增强型DBD平面光源性能研究

作者:刘震 韦海成介质阻挡放电平面光源碳纳米管氧化镁

摘要:为了降低介质阻挡放电平面光源(DBDL)器件的着火电压以及提高其发光效率,本文提出了一种掺杂型的具有场增强型结构的DBD平面光源,该结构采用碳纳米管(CNT)与荧光粉相混合,在荧光粉表明镀有一层厚度为40nm的MgO薄膜以提高二次电子发射系数及降低气体放电中产生的离子对CNT的冲击。实验结果表明采用在荧光粉中掺杂CNT以及蒸镀MgO薄膜的DBD平面光源结构可以有效降低器件的着火电压和提高发光效率,同传统无掺杂的结构相比,在气压为50kPa的Ne-15%Xe混合气体时,掺杂比为1∶5000的DBD平面光源其着火电压降低了10%;在相同输入功率下,其亮度及发光效率提高了约20%。

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真空电子技术

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