作者：白海平; 李健; 吉雅图真空气相沉积稀土nd掺杂sno2薄膜xrdsem分析
摘要：采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜，并对薄膜进行热处理。对薄膜进行XRD、SEM测试。实验显示，不同衬底制备SnO。薄膜在未掺钕时结构有明显区别，采用同样工艺条件在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜没有显示择优生长；在硅衬底上制备未掺钕SnO2薄膜显示出沿[101]晶向择优生长趋势。掺钕（5at％）玻璃衬底制备的薄膜沿[110]衍射峰较强，但薄膜基本呈现自由生长；掺钕后硅衬底制备的薄膜则强烈沿[110]晶向择优生长，随掺钕含量增加择优生长趋势消失，当掺钕含量为（5at％）时薄膜呈自由生长结构较完善。SEM给出在玻璃基片生长的薄膜表面形貌呈均匀小颗粒状，平均晶粒尺寸在30nm左右。硅基片制备的薄膜表面则呈紧密均匀带孔颗粒状；颗粒尺寸约1000nm与计算值相差较大。两种衬底制备的SnO2薄膜经稀土钕掺杂可抑制晶粒生长。本实验中钕掺杂量为5at％（热处理T=500℃，t=45min）时薄膜结构特性最佳。
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