作者：董树荣; 王德苗; 金浩; 余厉阳制备工艺介电常数溅射法
摘要：微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点，本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜，实验结果表明：(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况，介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美。随着衬底温度升高，薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化。较好沉积温度是610℃～650℃。
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