作者：庄晓东; 翁景宁晶状体上皮细胞调节性容积回缩低渗刺激细胞离子通道
摘要：背景调节性容积回缩（RVD）现象在生物界各种细胞中普遍存在，它不仅与细胞容积的稳定性相关，还参与多种细胞的生理功能和病理过程，但迄今为止，关于晶状体上皮细胞（LECs）的RVD机制研究仍较少。目的观察低渗刺激下人LECs系HLE B-3细胞株RVD的过程，并探讨其可能的作用机制及影响因素。方法应用氢离子缓冲剂（HEPES）将林格液分别配成质量分数45％、35％、25％和15％的低渗液（实际渗透压分别为165、195、225和255mOsm／kg），用NaOH将pH值调至7．4或6．8。HLE B-3在含质量分数10％胎牛血清（FBS）的DMEM／F12培养基中进行体外培养，待细胞贴壁后稳定生长时，将HLEB一3细胞置于特制的培养板内，分别用不同质量分数的低渗林格液灌流培养，观察其对细胞RVD的影响。以45％低渗林格液刺激细胞作为对照组，通过Cl^-、K^＋通道阻断剂干预，分别用无HCO3^＋、无Ca^2＋、无Cl^-或高K^＋林格液灌流改变细胞外液离子成分或酸化溶液pH，在Image-Pro Plus6．0图像处理软件控制下实现时滞拍摄固定视野内的活细胞图像，分析细胞RVD的动态变化。结果在低渗刺激下细胞容积膨胀，随后即出现了RVD过程。45％低渗林格液刺激细胞产生RVD为（59．1±7．8）％，随着林格液渗透压的逐渐降低，细胞容积逐渐膨胀，细胞的RVD能力逐渐增强，细胞最大膨胀容积与RVD存在s形正相关（r=0．990，P〈0．05），当细胞最大膨胀容积在115％～135％时，RVD对其变化敏感。10mmol／L K^＋通道阻断剂四乙基氯化铵（TEA）、5mmol／LBaCl2、100μmol／L5-硝基-2（3-苯丙胺），苯甲酸（NPPB）和相同浓度的氯Cl^-通道阻断剂二异硫氰基芪-2，2^＋-二磺酸（DIDS）可分别使RVD减少（16．5±1．6）％、（14．7±2．28）％（P〈0．01）。当细胞外液为高K^＋及无Cl-的环境时，RVD分别减少（5．8±1．6）％和（2．7±0．8
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