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针刺引起孤独症语言障碍儿童事件相关电位P3潜伏期和波幅的变化

作者:张全明; 余瑞英; 庞坚; 周雅芳; 周茵; 靳...事件相关电位p300针刺

摘要:目的:观察针刺对孤独症语言障碍儿童事件相关电位P3潜伏期和波幅的影响.方法:选择2000-09/2002-09在宁波市海曙区中医医院儿童脑病科治疗的儿童孤独症30例,按就诊顺序分为针刺组20例和对照组10例.针刺组取四神针、颞三针、脑三针、头智针、舌三针、手三针、手智针、足三针、足智针、风池、哑门,针刺1次/d,30min/次,10min行针1次,每周休息2 d,4周为1个疗程,共治疗4个疗程.对照组口服智康口服液(由何首乌、远志、龙眼肉、女贞子、龙骨、茯苓等组成,含生药3g/mL)、吡拉西坦口服液,3次/d,每次各10 mL,连续治疗4个月.治疗前后使用日本MEB-4 200诱发电位仪检测2组事件相关电位P3波幅和潜伏期的变化,事件相关电位P3的潜伏期可反映大脑对刺激进行编码、分类和识别的速度,P3的波幅与大脑皮质突触数目及注意状态有关,评估其由心理活动产生的脑电变化.结果:按意向处理分析,30例患儿均进入结果分析.①P3潜伏期:针刺组治疗后较治疗前明显缩短[(492.19±31.04),(525.64±39.26)ms,t=8.48,P<0.01],对照组与治疗前比较无差异[(510.38±23.29),(518.23±26.35)ms,t=1.97,P>0.05],治疗前后差值针刺组显著高于对照组[(33.45±8.22),(7.85±3.06)ms,P<0.01].②P3波幅:针刺组治疗后较治疗前明显升高[(5.98±1.63),(4.66±1.24)μV,t=2.21,P<0.05],对照组与治疗前比较无差异[(4.85±1.09),(4.72±1.05)μV,t=1.48,P>0.05],治疗前后差值针刺组显著高于对照组[(1.32±0.39),(0.13±0.04)μV,P<0.01].结论:针刺能有效缩短孤独症儿童事件相关电位P3潜伏期,提示针刺治疗使神经冲动传导加快,大脑对外界信息的认知加工时间缩短.孤独症儿童针刺治疗后P3波幅升高,提示针刺可以促进发育受阻的患儿的神经纤维的生长发育,增加大脑皮质突触的数目与质量,同时,尽可能提高了孤独症患儿的注意水平,增加了能激活起来的神经元数量.

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