作者：张咏梅; 张建福; 陈幽婷; 阎长栋; 周秀萍室旁核孤束核下丘脑
摘要：目的:观察电和化学刺激下丘脑室旁核(PVN) 对大鼠胃缺血/再灌注损伤(GI/RI)的影响及孤束核(NTS)在其中的作用和GI-RI后PVN、NTS内c-fos表达的情况.方法:夹闭大鼠腹腔动脉30 min,松开动脉夹血流复灌1 h制备GI/RI模型,应用Fos免疫组织化学法(ABC法)观察GI-RI后中枢神经系统内c-fos表达的情况.结果:①电和化学刺激PVN后,GI/RI减轻.②损毁双侧NTS后,能取消电刺激PVN对GI-RI的影响.③GI-RI能引起PVN、NTS等核团内c-fos表达增加.结论:GI-RI的伤害性刺激影响了PVN、NTS的功能.PVN、NTS参与了对GI-RI的调控.
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