作者：刘鑫; 刘灿军; 陈述; 杨亚辉光电化学原位法光阳极异质结
摘要：BiVO4/WO3异质结薄膜因其优异的光电催化活性,已成为光电催化领域的研究热点。然而,目前制备BiVO4/WO3异质结薄膜通常采用简单的沉积方法,制备的薄膜存在大量的晶隙和界面缺陷,不利于载流子在界面处的传输。本文利用WO3→Bi2WO6→BiVO4原位相转换的原理,成功制备BiVO4/WO3异质结薄膜。通过XRD和TEM等手段表征BiVO4/WO3异质结薄膜的结构,发现制备的薄膜存在晶隙和界面缺陷少的特点。以制备的薄膜为光阳极,通过光电化学测试,表明原位生长法制备的BiVO4/WO3薄膜的光电化学性能优于沉积法制备的BiVO4/WO3薄膜的,原位生长法制备的BiVO4/WO3薄膜的光电流密度达到0.32 mA/cm^2 (φ=1 V (vs. Ag/AgCl))。
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