作者：侯彦青 谢刚 俞小花 李荣兴 宋东明西门子法sihcl3sicl4多晶硅硅产率
摘要：根据相关热力学数据，首先计算并拟合得到Si-C1-H三元系中气相Cl与H原子的摩尔LL（ncl／nH）与反应达到平衡时的气相Si与C1原子的摩尔比（nsi／ncl）Eq的关系。为了得到合理的SiCl4（STC）和SiHCl3（TCS）的进料配比，详细分析TCS与STC的3种配比（nTcs/nsTc分别为1／4、1和4）时温度、压强以及进料配比对si沉积率的影响。结果表明：以STC和TCS的混合物为原料时，最佳温度为1400K，压强为0．1MPa。为了保证硅产率达到可工业化生产的35％以上，当原料摩尔比（nTCS／nsTc）为1／4时，原料中ncl/nH为0．055；当原料摩尔比（nTCS／nSTC）为1时，原料中ncl／nH比为0．07：当原料摩尔比铆TCS／nsTc）为4时，原料中ncl／nH为0．09。随着硅原料中TCS所占比例的增大，在较高的nc1／nH下，就可以得到较高的硅产率。最后分析得到：当选定原料配比时，要得到合理的硅产率，所需要控制ncl／nH的范围；当进料中nc1／nH一定时，要得到合理的硅产率，需选择原料配比的理想范围。
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