作者：唐元洪; 裴立宅硅纳米线硅纳米链掺杂光电特性激光烧蚀
摘要：采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链，并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究。结果表明：硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成，磷不仅存在于硅纳米线的核心内，也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上；硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15nm，由直径11nm的晶核和2nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成，其粒间距为4nm，硅纳米粒子链的阀值场强为6V／μm，优于未掺杂的硅纳米线的阀值场强(9V／μm)。X射线光吸收谱可以补充提供常规电流一电压测量得不到的信息，并提示掺杂分布的细节。
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