相变存储器英特尔公司研究成果突破性技术非易失性存储器美国加州64mb
摘要：2009年10月28日，美国加州圣克拉拉＆瑞士日内瓦——英特尔公司与恒忆（Numonyx B．V．）今天公布了一项突破性的相变存储器（PCM）研究成果，这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。
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