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首页 期刊 中国陶瓷 原料体系对热压烧结制备Ti3SiC2材料的影响【正文】

原料体系对热压烧结制备Ti3SiC2材料的影响

作者:贾换; 尹洪峰; 袁蝴蝶; 孙召英ti3sic2相组成显微结构

摘要:以Ti/Si/C,Ti/SiC/C和Ti/Si/TiC粉为原料体系,采用真空热压烧结制备纯样Ti3SiC2,通过XRD和SEM研究了不同原料体系和烧结温度对试样相组成、致密度及显微结构的影响。研究表明:烧结温度为1550℃时,Ti/Si/TiC体系制备的纯样Ti3SiC2主晶相为Ti3SiC2,第二相为TiC,Ti3SiC2相含量为94%,为各试样中最高,Ti3SiC2材料较其他试样致密且Ti3SiC2晶粒发育成均匀良好的板状晶粒,粒径约为20μm;制备纯度较高的Ti3SiC2材料需要提高Ti/Si/C,Ti/SiC/C原料体系的烧结温度。

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