作者：杨铁柱正电子湮没技术半导化掺杂商谱正电子寿命电性能参数
摘要：用正电子湮没技术研究了半导化掺杂的ZnO压敏陶瓷，发现在配方配方ZnO-Bi。03-Ti02-Co2O3-MnO2中掺杂半导化添加剂Z、ZN、ZCr和ZT后，商谱谱峰依次降低；正电子寿命依次增加。其中掺杂ZT的样品三电性能参数比较理想，分别为E1mA=17V／mm，a=18，l=37。
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