作者：陈暑波; 田野; 夏春林; 万明辉细胞分化电离辐射离体培养早期放射性脑损伤星形胶质细胞少突胶质细胞定向诱导分化中枢神经系统细胞原代培养免疫细胞化学辐射剂量脱髓鞘病变祖细胞发病机理显微镜下细胞总数量效关系影响程度对照组
摘要：背景与目的：电离辐射引起中枢神经系统脱髓鞘病变的主要靶细胞之一为O—2A祖细胞，其在体外可定向诱导分化为少突胶质细胞和Ⅱ型星形胶质细胞。本文旨在探索电离辐射对O—2A祖细胞分化的影响，为研究早期放射性脑损伤发病机理的研究提供实验基础。方法：利用新生SD大鼠脑混合胶质细胞原代培养、定向诱导分化和免疫细胞化学等技术，观察不同辐射剂量对O—2A祖细胞分化的影响，检测其数量、形态和分化比例的情况。结果：倒置显微镜下计数对照组O—2A祖细胞个数为24，80±3．70，照射2Gy、10Gy、30Gy组分别为4．40±0．89、1．60±0．55、1．20±0．45，与对照组相比照射后O—2A祖细胞总数明显减少(P＜0．001)；10Gy、30Gy组中诱导分化的少突胶质细胞和Ⅱ型星形胶质细胞的突起变粗变短，但各组间细胞分化比例未见明显变化(P＞0.05)。结论：电离辐射对O—2A祖细胞的分化有较大影响，影响程度与辐射剂量存在量效关系。
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