作者：张德坤; 葛世荣; 王庆良; 刘金龙单晶硅注入能量力学性能摩擦磨损性能
摘要：以单晶硅（111）作为研究对象，选用注入剂量为8×10^15ions／cm^2，注入能量分别为50，80和120keV的C^＋注入方法对单晶硅片进行离子注入。利用原位纳米力学测试系统对C^＋注入前后硅片的纳米硬度和弹性模量进行测定，在UMT-2型微摩擦试验机上对C^＋注入前后硅片开展往复滑动微摩擦实验，研究其摩擦系数和声发射信号的变化，采用T-1000型表面轮廓仪测量C^＋注入前后硅片的磨损量，利用S-3000N型扫描电子显檄镜表征C^＋注入前后硅片的磨损机理．结果表明，C^＋注入能量为50keV硅片的纳米硬度和弹性模量大幅减小，而其他2种注入能量的纳米硬度和弹性模量与单晶硅相差较小；C^＋注入后硅片的减摩效果得到了提高，在小载荷下其摩擦系数大幅度降低，但在载荷达到一定值后，摩擦系数和声发射信号会迅速增加并且产生磨痕；注入能量为120keV的硅片的减摩效果最佳，注入能量为80keV和120keV的硅片的抗磨性能较好；C^＋注入前后单晶硅片的磨损形貌在小载荷下以黏着磨损为主。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
