作者：张博; 郭永刚; 倪玉凤掺杂浓度钝化效果硅层多晶接触技术隧穿氧化层离子注入
摘要：隧穿氧化层钝化接触技术中,多晶硅层掺杂浓度对钝化效果有直接影响,本技术利用离子注入实现不同浓度的掺杂,分析了不同掺杂浓度的钝化效果,结果发现在掺杂浓度为6＊1015cm-3时,经过950℃退火,可以达到最优的钝化效果,ivoc可以达到715mv。
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