作者：田学伟; 王永生; 张璐; 刘安琪; 何大伟场效应晶体管电输运特性光学显微镜硒化原子力显微镜光致发光光谱载流子迁移率转移特性曲线
摘要：我们通过使用光学对比度发现了单层ReSe2的光学对比度为6.46%.通过光学显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱和原子力显微镜来表征ReSe2样品的光学性质.此外,制备基于机械剥离的少层ReSe2的场效应晶体管（FET）并测试其输出和转移特性曲线研究其电输运特性.ReSe2场效应晶体管的载流子迁移率达到4.7cm^2/（V·s）,电流开关比为10^4,表现出n型特性.
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