硅基光电子学电光调制器线性电光效应ghz三阶非线性光学效应等离子色散效应克尔效应光交叉互连
摘要:硅基电光调制器是发展硅基集成光学和硅基光电}昆合集成技术中的关键部件,它不仅是未来光交叉互连和光分插复用系统的核心器件,而且在未来的芯片光互联和光计算技术中也具有重要的应用前景,因此开展硅基电光调制器的研究具有重大意义。然而硅材料是具有反演对称中心的晶体,在偶极近似下,不具有线性电光效应,因而,普通的硅材料无法像GaAs、LiNbO,等电光材料一样,研制出以线性电光效应为机理的电光调制器,虽然硅材料具有克尔效应,但是由于克尔效应是三阶非线性光学效应,是很弱的一种电光效应,因此也无法用于研制高性能的调制器,这极大地限制了硅基光电子学和硅光子学的发展。目前研制成功的硅基电光调制器主要是基于等离子色散效应、量子限制斯塔克效应等物理机制,属于间接电光效应,
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