led外延片化学气相沉积方法外延生长气态物质单晶薄膜有机金属生长技术sic红宝石
摘要：外延片生长 外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和SiC两种）上，气态物质In，Ga，A1，P有控制的输送到村底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
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