作者：孟腾飞 武跃龙 姬中华 武寄洲 赵廷霆 贾...激光光学稳频饱和吸收光谱铯分子半导体激光器
摘要：利用饱和吸收的方法得到了铯分子在780 nm附近X1Σg＋→B1Πu能级跃迁吸收带的一段饱和吸收谱,利用铷87Rb原子饱和吸收谱的5S1/2（F=2）→5P3/2（F′=2）的跃迁线为标准确定这一段饱和吸收谱的位置。实验中对其中的5条吸收峰进行了仔细观测,利用其中的一条饱和吸收峰“R5”对780 nm半导体激光器进行了稳频。测得稳频后的激光在800 s内频率的漂移小于1.5 MHz,从而提供了一种利用铯分子饱和吸收峰对780 nm半导体激光器进行稳频的新方法。此激光可以用于制备超冷基态铯分子,同时也可作为光通信波段1560 nm处的倍频参考光。
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