作者：韩永林; 梁伟; 胡永宏应用光学电光调q金属氧化物半导体场效应晶体管器件高重复率
摘要：随着激光器的发展，需要高重复率的电光调Q器件。提出了一种新型超快、高重复率的电光调Q技术，这种技术采用V型槽的金属氧化物半导体场效应晶体管（VMOSFET）器件作为调Q模块的主功率开关，运用宽范围可调的高压稳压电源和调Q触发信号整形电路，以及加压调Q和退压调Q的兼容电路。实验中得出：当调Q工作频率为10kHz时，调Q电压幅度3～5kV任意可调，电压脉冲宽度小于5ns，触发抖动时间小于1μs，且可以长期稳定工作。该调Q模块已经用于激光二极管（LD）抽运的无水冷固体Nd：YAG激光器和连续Nd=YAG激光器中。
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