作者：罗治民; 刘伯权; 郭佳佳带隙基准源温漂系数二阶曲率补偿电源抑制比
摘要：针对双极型晶体管基极-发射极电压VBE含有二阶温度非线性项导致带隙基准源温漂系数较高的问题,提出了一种新颖的二阶曲率补偿电路,根据基尔霍夫电压定律以及MOS管饱和区漏电流与栅源电压成平方关系,产生一个与热力学温度平方成正比的补偿电流,对基极-发射极电压VBE的二阶温度项进行补偿,从而有效地降低基准输出电压的温漂系数。基于0.5μmCMOS工艺库,使用Spectre对电路进行仿真,结果表明,在电源电压5V,温度范围为-35~+130℃时,温漂系数为2.213ppm/℃,低频时电源抑制比可达到-116dB,在10kHz时抑制比为-74dB。电源电压在1.6V~5V范围内变化时基准输出电压线性调整率为0.094%。
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