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X-RAY对MOSFET性能影响的研究

作者:顾盛光; 程杨; 王友彬金属氧化物半导体阈值电压

摘要:X-RAY作为一种常见的检测手段,在半导体行业的产品检测中已经应用得越来越广泛,给从业者在判别电子元器件、电子组件、LED元件等内部的裂纹、异物的缺陷,BGA、线路板等内部位移的分析以及空焊、虚焊等焊接缺陷等方面提供了简单、快捷而又方便的帮助。但是我们常常忽视了x-r ay在检测产品的过程中,同样会对半导体产品的性能产生一定的影响。作者通过对部分金属氧化物半导体(MOSFET)产品的失效分析及大量试验,证实了高剂量的X-RAY会对MOSFET的阈值电压产生严重影响,并由此针对工厂的现有检测操作给出了相应的操作规则。

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中国集成电路

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