嵌入式闪存半导体第二代工艺平台flash第一代竞争力
摘要：华虹半导体日前宣布其第二代90nm嵌入式闪存（90nmG2eFlash）工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。华虹半导体在第一代90nm嵌入式闪存（90nmG1eFlash）工艺技术积累的基础上，90nmG2eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nmG2微缩了Flash的元胞尺寸，较第一代减小约25％.
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《中国集成电路》（CN：11-5209/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国集成电路》报道内容涉及半导体微电子科学与技术及其应用的各个领域，包括微电子器件与电路的基础及其设计技术、电子设计自动化、工艺技术、设备材料、封装技术、产业发展、应用技术及市场等。
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