作者：郭锐; 高艳丽; 孙金中; 谢凤英低噪声放大器宽带接收机电容交叉耦合cmos
摘要：本文介绍了一种单端输入差分输出的CMOS宽带低噪声放大器,工作频率设计在UHF频段。低噪声放大器提供14d B的增益,输出加入了源跟随器,用来匹配输出阻抗。采用TSMC 55nm CMOS工艺,仿真结果表明,噪声系数小于2.9d B,S21大于14d B,S11小于-10d B。2.5V电源供电下功耗为8m W。
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《中国集成电路》（CN：11-5209/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国集成电路》报道内容涉及半导体微电子科学与技术及其应用的各个领域，包括微电子器件与电路的基础及其设计技术、电子设计自动化、工艺技术、设备材料、封装技术、产业发展、应用技术及市场等。
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