作者：任志雄毫米波功率放大器功率合成器
摘要：基于近十三年国际固态电路年度会议（International Solid State Circuit Conference,ISSCC ） 上有关毫米波功率放大器（Power Amplifier，PA）的研究成果，分别从制作工艺、频率范围、电路结构和核心性能参数等方面对毫米波PA的研究进展进行了详细地分析。ISSCC报道的毫米波PA覆盖22～260GHz频率范围，主要采用CMOS、BiCMOSsiGe和SOICMOS等工艺制作而成，为了方便片上系统（System-on-ChiP，SoC）单芯片集成，CMOS为最主流的制作工艺。MOS管的尺寸随摩尔定律逐渐下降，同时电源供电电压和MOS管的栅氧击穿电压也随之变小，导致毫米波PA的输出功率下降。片上功率合成器将多路PA的输出信号相加，增大毫米波PA的整体发射功率，应用广泛，目前毫米波PA的最高发射功率已达29dBm。毫米波PA的效率决定了整体系统的功耗，采用F类PA结构，毫米波PA的功率附加效率（Power Added Efficiency，PAE）可超过40％，最后还分析了多种线性度提高技术，使毫米波PA可满足复杂调制方式的通信系统。
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