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PlatNiStrip^TM镍铂薄膜工艺帮助65-nm技术节点

技术节点薄膜工艺集成电路zeta首席执行官金属硅化物fsi有限公司剥离工艺系统开发行业标准制造商don董事长自对准喷雾式试验线化学品

摘要:三月,FSI国际有限公司董事长兼首席执行官Don Mitchell来到上海,向业界宣布FSI推出一项新的研发成果,这项新的镍铂剥离工艺将帮助集成电路制造商在65-nm技术节点实现自对准金属硅化物(Salicide)的形成.FSI使用其ZETA喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStripTM工艺,并且与领先的集成电路制造商合作,在65-nm试验线设备上对该工艺进行了验证.这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业标准的化学品实现.

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中国集成电路

《中国集成电路》(CN:11-5209/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国集成电路》报道内容涉及半导体微电子科学与技术及其应用的各个领域,包括微电子器件与电路的基础及其设计技术、电子设计自动化、工艺技术、设备材料、封装技术、产业发展、应用技术及市场等。

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