dram技术突破300毫米晶圆纳米制造工艺芯片生产执行过程协议
摘要：中芯国际最近宣布该公司的北京工厂已经在300毫米晶圆的纳米制造工艺方面实现了突破。据介绍，中芯在去年12月分别与德国英飞凌和日本Elpida签订了DRAM芯片生产协议。但是今年2月该协议在执行过程中却遇到一些问题。原来英飞凌和Elpida分别要求使用110纳米和100纳米的制造工艺，
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《中国集成电路》（CN：11-5209/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国集成电路》报道内容涉及半导体微电子科学与技术及其应用的各个领域，包括微电子器件与电路的基础及其设计技术、电子设计自动化、工艺技术、设备材料、封装技术、产业发展、应用技术及市场等。
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