作者：HOWARDR．HUFF; PETERM．ZEITZOFF; INTER...发展趋势晶圆绝缘体上硅soi材料信号处理器改进技术cmos制造工艺集成电路微处理器智能电源低功耗软误差小规模服务器器件减小射频
摘要：绝缘体上硅（SOI，silicon-on-insillator)作为CMOS的改进技术．于1978年被推出，这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗锁定、减化制造工艺，以及减小器件尺寸。SOI材料最初是用于小规模的利基fniche)市场，主要是军用。而今，已明显扩展了在主流方面的应用。最近几年．SOI已用于各种前沿的集成电路，诸如微处理器、服务器、智能电源(smart power)，以及射频信号处理器，一般用部分耗尽的（PD，partially depleted)硅层。
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